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2023年11月30日，美國專利商標局（USPTO）宣布半導體技術試點計劃（Semiconductor Technology Pilot Program），通過對符合條件的美國專利申請，加快進入審查階段來推動半導體技術創新，從而支持美國的芯片計劃。
該半導體技術試點計劃旨在支持2022年頒布的美國芯片法案，通過提供知識產權保護方面的鼓勵措施，來激勵半導體制造領域的投資。并且針對利于提高半導體器件產量水平、降低成本、加強供應鏈的創新的專利申請，此試點計劃將與美國芯片法案雙管齊下，來推動半導體制造業的發展、研究和創新。
在這個試點計劃下，涉及針對制造半導體器件的某些工藝或設備的技術的申請將被提前進行審查（被授予特殊地位），直到收到第一次審查意見通知書為止。此意見通知書是指案件審查員針對本申請做出的書面審查意見通知。
一、截止時間&申請量限制
該試點計劃將從2023年12月1日開始，直至2024年12月2日止，美國專利商標局將共接受1000份可授權申請，截止日與可接受申請案量以先到者為準。
二、申請類型限制
此計劃適用于（1）非延續的原始非臨時申請，和（2）符合美國法律35 U.S.C. 規定下第120, 121, 365(c),或 386(c)條的要求，僅從一件非臨時申請或指定美國的國際申請的在先申請中獲益的原始非臨時申請。
值得注意的是，根據35 U.S.C. 119(e)的規定，要求了一個或多個的臨時申請案作為優先權，或根據35 U.S.C. 119(a)-(d) / (f)的規定，要求了一個或多個國外申請優先權的專利申請，不影響參與本試驗計劃的資格。
即通常情況下，此項計劃是適用于中國企業進入美國的申請的。
三、申請條件
為了滿足該申請，該特別申請還必須證明：
（a）申請人有充分的理由相信，要求參與試驗計劃的發明，符合可以改善半導體器件的制造的技術要求;
（b）要求參與試驗計劃的發明，說明書中涉及內容主要側重于半導體器件的制造;
（c）申請人有充分的理由相信，需要加快審查的申請將對半導體制造業產生積極影響，例如提高半導體器件產量、降低企業的半導體制造成本，或對半導體供應鏈有積極影響;
（d）發明人或任何共同發明人，未在超過四項其他非臨時申請中被指定為發明人或共同發明人（這四項非臨時申請也已經參與此項試點計劃）。
四、權項&技術限制
對于參與試點計劃的申請案，針對權利要求也做了相應規定：申請必須包含不超過三個的獨立權利要求，總的權利要求數量不得超過20條，并且不得包含任何多個從屬要求。
同時，參與試點計劃的申請需要符合CPC分類號類屬H10（半導體器件）或H01L（H10類中未涵蓋的半導體器件）的要求。
五、試點計劃的特殊性
被試點計劃接受的申請，在收到第一次審查意見通知書前，將被賦予優先審查的特殊地位。
相對于其他加速審查（如PPH/Track One）的方式，如本試點計劃無需在先申請案的審查文件的支持，也不需要額外支付費用。符合上述限制條件的情況下，僅需在申請時，或申請提交日或進入國家階段之日起30天內，提交一份petition申請。針對相關半導體企業來說，是性價比更高的選擇。
【結 語】
通過此項試點計劃可以看出，美國專利商標局在已有的PPH加速審查和Track One優先審查通道等措施下，進一步推行了一個對半導體制造業政策更優待的專利審查策略，其目的還是希望輔助“芯片法案”，以使美國的半導體制造領域能不斷創新，并持續增強其知識產權實力。
對于中國半導體企業而言，如有符合H10、H01L這兩個分類下的專利，可以預先評估參與此項試點計劃的可行性。當然，已經執行了若干年的PPH和Track One項目作為美國專利的審查加快渠道，依然是申請人可以考慮和選擇的方式。尤其是PPH（專利審查高速公路）加快途徑，目前是中國申請人進行國際化專利布局過程中非常有利的方式。
如果您對于美國申請或者其他國際專利布局有諸如此類的問題，例如如何加快審查、如何利用多次修改時機提高國外專利授權率等，歡迎隨時和我們取得聯系。
