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1、半導(dǎo)體領(lǐng)域的專利技術(shù)涉及材料、物理、電子、光學(xué)、計(jì)算機(jī)等多種學(xué)科,由于行業(yè)發(fā)展迅猛,其專利技術(shù)更新速度快,且通常具有很高的經(jīng)濟(jì)效益。為了保護(hù)和增強(qiáng)公司價(jià)值,半導(dǎo)體領(lǐng)域的專利技術(shù)已成為本領(lǐng)域的兵家必爭之地。自2000年以來,獲得最多專利的主要半導(dǎo)體領(lǐng)域依序?yàn)椋?. 主動固態(tài)組件;2. 半導(dǎo)體制程;3. 靜態(tài)信息儲存與檢索;4. 相干光產(chǎn)生器;5. 電子量測與測試;6. 各種主動式電子非線性組件、電路及系統(tǒng);7. 電子系統(tǒng)與設(shè)備。近年來公布的專利合作條約(PCT)大約維持在每年2,000件左右。前七大提出PCT申請的公司分別為飛利浦電子、超微(AMD)、IBM、應(yīng)用材料(Applied Materials)、摩托羅拉(Motorola)、英特爾(Intel)與半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起,半導(dǎo)體、半導(dǎo)體設(shè)備、光學(xué)、涂布與靜態(tài)儲存一直引領(lǐng)著PCT的應(yīng)用方向。飛利浦電子與超微將持續(xù)作為提出PCT的主要公司。半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室則是從2005年開始積極提出PCT。
2、專利申請的對象主要分為以下幾種類型:
(1)電子元器件:如晶體管、存儲器、傳感器、LED照明、光電器件、太陽能光伏器件等。
(2)芯片與系統(tǒng):如SoC系統(tǒng)級芯片、MEMS微電子機(jī)械系統(tǒng)等。
(3)材料與設(shè)備:如SOI、GOI、光電材料、介質(zhì)材料、封裝材料、制程設(shè)備、測試設(shè)備等。
(4)制程、工藝方法:如生長薄膜、摻雜、光刻、刻蝕、制造器件的工藝流程等。
(5)IC設(shè)計(jì)、模擬方法:如 IC設(shè)計(jì)方法、器件仿真模擬方法、失效分析方法等。
(6)測試、驗(yàn)證方法:如 IC、器件量測方法等。
本專利的任務(wù)是什么,或要解決的技術(shù)問題是什么?
已有產(chǎn)品/方法的不足:即說明與本專利的內(nèi)容最相似的產(chǎn)品/方法,需要說明已有產(chǎn)品的主要結(jié)構(gòu)、原理、實(shí)用效果,或已有工藝、方法的步驟、實(shí)用效果,尤其指出與本專利相比,原有產(chǎn)品/方法存在的缺點(diǎn)或不足之處。如有引用文獻(xiàn),需要說明出處;如有參考產(chǎn)品,指出其型號、廠家。對原有技術(shù)的介紹盡可能詳細(xì),可附結(jié)構(gòu)原理圖。
本專利的內(nèi)容:應(yīng)說明本專利達(dá)到目的或解決問題的技術(shù)手段。包括產(chǎn)品的組成、結(jié)構(gòu),尤其說明各組成部分之間的相互關(guān)系,例如連接關(guān)系、被作用的工作電流或信號的走向。或工藝、方法的流程步驟,還需說明各步驟涉及的重要工藝參數(shù)(如時間、溫度等)、重要公式。寫明本專利的工作原理,本專利與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別點(diǎn)。
本專利的效果:有益效果可以由工作性能的提高,制作成本、能量損耗的減少,穩(wěn)定性的增加,操作、控制、使用的簡便,以及其他有用性能的出現(xiàn)等方面反映出來,對于工藝、材料的改進(jìn),還需給出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)加以證明。
附圖與說明:產(chǎn)品構(gòu)造或裝置或設(shè)備的圖解,圖應(yīng)以電子制圖或流程圖的標(biāo)準(zhǔn)繪制,而非掃描圖。使專利工作人員可直接在附圖上編輯修改,實(shí)用新型申請必須帶附圖。工藝、方法可提供流程圖。
本專利的具體實(shí)施例:對照附圖,說明本專利的具體實(shí)施方式,必須有詳細(xì)的操作步驟、工作機(jī)理,包括附圖中各具體器件功能介紹、及流程圖中具體各個流程的功能。最好提供相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)、數(shù)據(jù)來具體說明有益效果,可同時提供原有技術(shù)的參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行對比。